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        • 产品名称: LiTaO3 / LiNbO3
        • 产品编号: 120
        • 浏览次数: 2996

        钽酸锂(LiTaO3) & 铌酸锂(LiNbO3
        钽酸锂(LiTaO3)是一种性能优良的电光晶体,广泛应用于多种电光设备中,它具有较好的光学,非线性光学,E-O和高损失阈等特性。 我们为您提供高品质的 LiTaO3晶体和晶片。下表是标准用途的LiTaO3晶体属性, 我们还可以根据客户要求制定其他规格的晶体。

        LiTaO3基本特性

         

        晶体结构 Trigonal, space group R3c,Point group 3m
        晶格参数 a=5.154A,c=13.781A
        熔点 1650℃
        居里温度 607℃
        莫氏(Mohs)硬度 5.5
        密度 7.46 g/cm3
        介电常数 ξ110 51.7
        ξ330 44.5
        弹性刚度系数 CE11 2.33(X 1011 N/m2)
        CE33 2.77(X 1011 N/m2)
        压电应变常数 d22 2.4(X 10-11 C/N)
        d33 0.8(X 10-11 C/N)
        发射范围 400-4500nm
        电光系数 r33 30.4pm/V
        折射率(632.8nm) no=2.176,ne=2.180

        SAW标准特性

        切割类型 νs(m/s) κ2s(%) TCV(10-6/oC) TCD(10-6/oC)
        X-112oY 3295 0.75 -16.50 22.3
        Y-Z 3230 0.66   35

        规格:

        a.毛胚


        标准直径 φ3"±2mm φ4"±2mm
        标准长度 ≤120mm ≤100mm
        标准方向 36°Y,42°Y,

        b.晶片

        直径 φ3"±2mm,φ4"±2mm
        厚度 0.3~1mm
        方向 36°Y,42°Y
        参考面方向 X
        参考面宽度 22±2
        正面抛光度 0.25~0.016μm
        背面抛光度 10~15μm
        平面度(μm) ≤20
        弯曲度(μm) ≤30

        由于酸锂(LiNbO3)晶体具有较高的电光和声光系数,因此广泛地应用于普克尔斯匣(Pockel Cells )、调Q(Q-switche)、相位调节器(Phase modulator), 波导基片(waveguide substrate)和声表面波(SAW)等应用。

        LiNbO3基本特性

         

        晶体结构 三方晶系,空间群 R3c, 点群3m
        晶格参数 a=5.148A,c=13.863A
        熔点 1253℃
        居里温度 1140℃
        莫氏(Mohs)硬度 5
        密度 4.64 g/cm3
        介电常数 ξ110 85
        ξ330 29.5
        弹性刚度系数 CE11 2.04(X 1011 N/m2)
        CE33 2.46(X 1011 N/m2)
        压电应变常数 d22 2.04(X 10-11 C/N)
        d33 19.22(X 10-11 C/N)

        SAW标准特性

        切割类型 νs(m/s) κ2s(%) TCV(10-6/oC) TCD(10-6/oC)
        127.86oY 3970 5.5 -60 78
        Y-X 3485 4.3 -85 95

        规格:

        a.毛胚


        标准直径 φ3"±2mm φ4"±2mm
        标准长度 ≤150mm ≤100mm
        标准方向 127.86°Y,64°Y,

        b.晶片

        直径 φ3"±2mm φ4"±2mm
        厚度 0.5mm 1mm
        方向 127.86°Y,64°Y,47.5°Y,X,Y,Z
        参考面方向 X
        参考面宽度 22±2mm 22±2mm
        正面抛光度 0.25~0.016μm
        背面抛光度 10~15μm
        平面度 (μm) ≤30 ≤40
        弯曲度(μm) ≤30 ≤40

        我们还可按照客户要求制定其他尺寸和规格的晶片