1. DKDP晶体作为电光晶体，用于制作电光调制器等。

2. DKDP晶体做为非线性晶体，用于制作大口径，高能量激光倍频器。

当DKDP晶体作为电光晶体应用时，其工作原理基于一次电光效应。对DKDP晶体施加特定方向电场时，其折射率椭球将发生改变，由于此时晶体折射率分布的改变，o光与e光在DKDP晶体内部的传播速度不同，到达同一位置时两者存在一定相位差，且差值与施加在晶体上的电场强度有关，因此DKDP晶体可等效为一个相位延迟量可变的光学波片，从而实现对偏振光的调制。如图1为DKDP晶体腔内电光调Q的工作示意图。

DKDP晶体由于其优异的性能，被广泛应用于腔内调Q、高速光闸、脉冲选择、再生放大等。

福晶科技可根据客户使用条件设计和制作所需通光孔径，长度和应用波段（涵盖343-1600nm）的DKDP电光调制器产品。

近半个世纪以来，随着人工晶体研究的深入，各种新晶体材料不断涌现，DKDP晶体受到了巨大的挑战：LBO、BBO等晶体具有更大的非线性系数，更高的抗激光损伤阈值，从而逐步替代DKDP晶体在非线性领域的应用。

然而，随着惯性受约核聚变（ICF）技术的发展，因DKDP具有能生长出大口径（400mm以上）晶体的特点，综合考虑各种性能和生长条件，优质大尺寸的DKDP晶体成为目前ICF装置优选可用的非线性光学材料材料。目前美国、俄罗斯和中国都在大力研究高质量大尺寸DKDP晶体的生长技术来满足ICF工程的需求。因此大口径DKDP晶体的生长一跃成为了热门的前沿研究。

早在20世纪60年代，福建物质结构研究所的科技工作者就开始了KDP/DKDP类晶体的生长研究，并取得了丰硕的成果。自从福晶科技公司成立之初，DKDP晶体的商业化就由福晶科技实现。福晶科技在实现DKDP晶体批量稳定供货的同时不忘使命，勇攀技术高峰，于2002年生长出150mm*150mm口径的DKDP晶体，各项技术指标测试结果达到了课题目标，通过了福建省科委组织的“高质量、大口径DKDP晶体的研制”课题验收。福晶科技的科研团队并不止步于此，正视国内外大口径的DKDP晶体生长技术的差距，不断投入，致力于更大口径的DKDP晶体生长技术开发。

图3 福晶科技生长的DKDP晶体

DKDP晶体在实际的激光应用中，不论是是作为电光晶体亦或非线性晶体，不仅要求大尺寸，高内部质量，晶体产品的含氘量，加工指标和镀膜质量都是产品使用中优异光学性能和使用寿命的保证。

由于氘替代氢，能有效减少DKDP的受激拉曼散射损伤，福晶科技生长的DKDP晶体，其氘含量根据客户需求可达到98%以上。

DKDP极易溶解于水，加之软质易碎，莫氏硬度约2.5Mohs，这使得DKDP晶体切割、粗磨和抛光工艺过程极其困难，对工艺和人员技能要求非常高。尤其是电光应用中常使用的棒状产品，在加工过程中滚圆过程力道和监控不当，容易出现轴线和通光面法线偏离太大而影响光路调整。福晶科技经过多年技术积累，掌握了批量生产DKDP的加工工艺，能满足DKDP晶体应用所需的各项指标要求，对滚圆产品定向精度控制±0.5°以内，对于特殊要求可以控制于±0.15°范围。

DKDP晶体极易潮解，且在100℃以上容易发生相变，导致晶体失效。而常规的晶体镀膜温度往往在200℃以上，因此如何另辟蹊径，在确保DKDP晶体不发生潮解与相变的同时，实现DKDP晶体上制备具有良好光谱特性（如高透过率）与机械性能（如附着力、膜层硬度），同时又具有良好抗激光损伤性能的光学薄膜，是一个亟待攻克的难题。福晶科技工程师团队经过多年潜心研究，开发出适合DKDP晶体的高透过膜层，从而使福晶科技成为市面上少有的掌握DKDP高品质镀膜技术的光电企业之一。